广州福滔微波设备有限公司拥有专业的设备安装团队,从设计场地规划方案到设备主机、辅机的安装,全部由富有经验的技术人员组成的团队指导完成。公司秉承“服务到底,争取更好”的宗旨,立足中原,放眼世界,时刻关注来自于市场和用户的建议,不断改进技术,完善服务,提高品质。公司主营产品有:微波石墨烯设备、石墨烯制备设备、微波石墨烯爆裂设备、石墨烯膨化、石墨烯生产设备、单层石墨烯生产线等。福滔的产品不仅在国内畅销,更是吸引了世界各地的客户来厂考察,订货。
浅谈石墨烯的制备
目前获取石墨烯的途径大致可分为两大类,自上而下的顶层剥离(exfoliation)和自下而上的底层生长(growth):
一是利用各种物理、化学手段削弱石墨层与层间的范德华力剥离得到单层或少层石墨烯,主要有机械剥离法、液相剥离法、氧化还原剥离法,近几年也提出了诸如电化学剥离和超临界流体剥离的一些新颖方法(此处不做介绍);
二是通过化学反应合成石墨烯片层,有化学气相沉积法、外延生长法以及有机合成法。
液相剥离法:液相剥离和机械剥离都是利用物理方法进行剥离,但液相剥离不同于机械剥离的就是其能够处理相对大量的石墨,与之相适应便需要合适的液相体系环境与能施加足够能量的物理手段(常用的手段就是超声)。
氧化还原剥离法:氧化还原剥离法是目前广泛应用于制备大量石墨烯的主要方法,其基本思路是在强酸性介质中氧化石墨破坏其 共轭结构,于石墨层间引入含氧官能团(如羟基、酮基、醚键等)从而削弱层间的范德华力得到氧化石墨(graphite oxide,GO),再通过超声进一步分离加入还原剂还原(也有热还原、微波还原、电化学还原等方法)得到还原氧化石墨烯。
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机械法剥离制备石墨烯的发展趋势
石墨烯自2004年被发现以来,作为一种新型的碳纳米材料具有极高的科研价值和应用潜力。近10年来发展了多种制备石墨烯的方法,但每一种方法都有它的缺点和不足。因此当前石墨烯研究和应用的关键是如何大规模、低成本、无污染、可连续化的制备石墨烯。传统制备石墨烯的方法存在很大局限性,它已不能满足石墨烯产业化的发展需要,简单、高效和环境友好的新型机械剥离法给石墨烯产业化的发展带来了曙光,它可以被广泛用于连续化制备高质量的石墨烯和石墨烯复合材料,且由于机械剥离法的生产成本较低,从氧化还原法的5000元/g降到低于1元/g,生产过程中不产生浓酸、有机废弃物等环境污染物,更容易实现石墨烯的规模化生产,预计规模将达到年产千吨级或万吨级石墨烯,远超于目前氧化还原法的年产10~100t石墨烯的规模,具有广阔的发展前景和商业价值。
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浅谈石墨烯的制备方法
化学气相沉积法:化学气相沉积法是指用甲i烷、乙醇等碳源(含碳前驱体)在高温下分解释放出碳原子,并经退火沉积在基底(多为金属基底)生长石墨烯的方法(俗称烧炉子╮(╯-╰)╭),是目前有可能得到大面积、高质量石墨烯的理想方法。
根据金属基底材料的不同,CVD 有两种生长机制:一是渗碳析碳生长,石墨烯膨化设备价格,这是由金属基底在高温下溶碳量较高造成的(常见的有镍、钴等金属),石墨烯膨化设备供应,前驱体高温分解释放碳原子,碳沉积并渗入基底内,降温时析出生长形成石墨烯;二是表面吸附生长,铜、铂等金属溶碳量较小,碳原子直接吸附到金属表面生长形成石墨烯。这两种生长机制中后者更易形成大面积单层石墨烯。
外延生长法:1962年,Badami 在近乎真空的条件下对 SiC 加强热后发现了石墨的存在,这就是 SiC 外延生长的起源。外延生长一般是以 SiC 为原料,将其置于高温、低压环境中,利用 Si 原子的升华速度比 C 原子快得多把 Si 除去而只留下 C 在其表面,之后表面的 C 原子会发生重构生长形成石墨烯。
外延生长和 CVD 本质上都是利用碳原子在基底表面发生重构形成石墨烯片层,所以二者都能较好的实现石墨烯的大面积、高均一性的高质量生长,不过外延生长的条件更为苛刻,还存在 SiC 成本过高、石墨烯难以与基底分离等 CVD 法没有的困难,进而极大地限制了工业化应用。
有机合成法:一听名字就很容易让人联想到当年富勒烯的全合成,Maki-Arvela 等人以多环芳烃作为前驱体,在溶液中经可控反应通过环化脱氢和平面作用成功制备出了厚度低于5 nm的大片石墨烯。
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